# Выше 26,3% эффективности: что осталось на тыльной стороне? > Техническое сравнение p-TOPCon-элемента с обратным переходом и КПД 26,34% и конструкции n-TOPCon с КПД 26,66%, включая двухслойные контакты SiOx/poly-Si ![Выше 26,3% эффективности: что осталось на тыльной стороне?](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260724/2026072418751974.webp) - ** Jerry - ** 2026-07-24 - ** 242 просмотра - ** [Блог](./Blog.html) ## Выше 26,3% эффективности: что осталось на тыльной стороне? **Краткий ответ:** При эффективности ячейки выше 26,3% фронтальная сторона TOPCon-ячейки близка к оптимизации, и оставшийся резерв находится на тыльной стороне. Именно это движет переход к полноапертурным p-типа тыльным контактам и локальным поликремниевым пальцам, которые меняют то, как тыльная сторона собирает ток, и какую площадь отдают под пассивацию в противовес контакту. Измеренные структуры включают тыльный стек с слоями около 1 нм, 1,5 нм, 36 нм и 90 нм, полноапертурный контакт и тыльный технологический этап около 650 °C, при этом напряжение холостого хода для обсуждаемых приборов заявлено на уровне 1,961 В. Каждый из этих размеров создаёт компромисс между контактным сопротивлением и рекомбинацией, и оптимум смещается по мере улучшения фронтальной стороны. На линии это означает, что тыльный рецепт становится живой переменной, а не фиксированной частью процесса. Производство PV-модулей · от Джерри, Ooitech ## Выше 26,3% КПД: Что осталось оптимизировать на тыльной стороне? «Лао Чжан, в элементе с КПД 26,66% использовалась полностью p-типа [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) задняя структура. В статье с КПД 26,34% фронтальная сторона была изменена на локализованные n-TOPCon пальцы, а задняя стала полнообластным p-TOPCon контактом. Двухслойный стек SiOx/poly-Si всё ещё тот же?» Это был дополнительный вопрос от нашей технологической команды после того, как мы закончили обсуждение элемента с КПД 26,66% вчера. **Базовая тыльная двухслойная архитектура почти скопирована с конструкции с КПД 26,66%, но на стороне p-TOPCon введены три регулировочных параметра, которые не затрагивались в элементе с КПД 26,66%. Стратегия фронтальной стороны также полностью отличается. Она отходит от высокоомного борного эмиттера с сопротивлением 430 Ом/□ и переходит к локализованным n-TOPCon пальцам. Это два совершенно разных подхода к снижению рекомбинации.** Статью Гао К. и др. о КПД 26,34% можно рассматривать как тыльноконтактное дополнение к работе о КПД 26,66%. Чтение обеих вместе дает более ясную картину того, что может потребоваться для приближения к КПД 27%. > Гао, К. и др. «Двухсторонние туннельно-оксидные пассивирующие контакты для кремниевых и перовскит/кремниевых тандемных солнечных элементов с улучшенной эффективностью». *Nature Energy* (2026). DOI: [10.1038/s41560-026-02007-8](https://doi.org/10.1038/s41560-026-02007-8) ## Три числа, стоящие за элементом с КПД 26,34% - **КПД однопереходного элемента: 26,34%** на площади 335,5 см², с Voc 743,2 мВ, FF 85,0% и Jsc 41,69 мА/см². - **КПД тандемного элемента: 32,73%**, с использованием перовскитного верхнего элемента с шириной запрещенной зоны 1,68 эВ. Voc тандема достиг 1,961 В, при этом 80% начальной производительности сохранилось после 2000 часов отслеживания точки максимальной мощности. - Структурное определение: **фронтальные локализованные n-TOPCon пальцы в компоновке с задним переходом, в сочетании с полнообластным двухслойным p-TOPCon задним контактом**. Это по сути зеркальная инверсия обычного TOPCon, который обычно использует фронтальный борный эмиттер и задний n-TOPCon контакт. ## Задний двухслойный контакт: тот же скелет, но три разных технологических параметра Задний контакт с эффективностью 26,66% использует **SiOx / слаболегированный n+ поли-Si / SiOx / сильнолегированный n+ поли-Si**, с фосфором в качестве легирующей примеси. Задний контакт с эффективностью 26,34% использует **SiOx / p+ поли-Si толщиной 36 нм / SiOx / p+ поли-Si толщиной 90 нм**, с борным легированием. Обе структуры следуют одной и той же базовой последовательности: нижний SiOx, внутренний поли-Si, промежуточный SiOx и внешний поли-Si. Однако p-TOPCon версия должна решать давнюю проблему. > **p-TOPCon всегда сталкивался с компромиссом между пассивацией и контактом.** Бор может создавать больше дефектов на границе Si/SiO₂, чем фосфор, в то время как металлизация p+ поли-Si более сложна из-за ограничений транспорта дырок и более слабого взаимодействия между обычной серебряной пастой и p+ поли-Si. | Параметр сравнения | Задний контакт 26,66%: полнообластной n-TOPCon | Задний контакт 26,34%: полнообластной p-TOPCon | | --- | --- | --- | | Полярность легирующей примеси | Фосфор, n+ | Бор, p+ | | Толщина внутреннего / внешнего поли-Si | Примерно 40 / 60 нм | 36 / 90 нм; более толстый внешний слой обеспечивает больший запас для диффузии бора и металлизации | | Промежуточный SiOx | Примерно 1,5 нм, термически окисленный при 620°C | Примерно 1 нм, сформированный in-situ термическим окислением при 650°C; тоньше, потому что туннелирование дырок уже более затруднено на p+ стороне | | Отжиг | Предполагаемый диапазон 880–920°C в предыдущем анализе | Предварительный отжиг при 1050°C в течение более 30 секунд, достижение 98% кристалличности и повышение подразумеваемого Voc до 747 мВ | | Серебряная паста | Обычная паста в сочетании с внешним аморфным слоем для ограничения проникновения Ag | Паста, модифицированная оксидами щелочных металлов, с 4 мас.% Na₂O/K₂O и шероховатым серебряным порошком, снижающая удельное контактное сопротивление до 0,55 мОм·см² | | Морфология тыльной стороны | Обычная полировка тыльной стороны | Планаризованная полировка тыльной стороны, поскольку p-TOPCon более чувствителен к текстуре поверхности и требует более низкого J₀ | | Основная цель | Блокировать проникновение Ag, сохраняя пассивацию | Блокировать проникновение Ag, подавлять дефекты на границе раздела, связанные с бором, и улучшать металлизацию p+ поли-Si | Приведенные технологические данные включают окисление тыльной стороны in-situ при 650°C, промежуточный слой SiOx толщиной примерно 1 нм, легирование бором 1 × 10²⁰ см⁻³, кристалличность 98% после предварительного отжига при 1050°C, подразумеваемое напряжение холостого хода 747 мВ и удельное контактное сопротивление 0,55 мОм·см² с использованием пасты, модифицированной щелочными металлами, с шероховатым серебряным порошком. Одна деталь легко упускается из виду. **Внешний слой p+ поли-Si имеет толщину 90 нм, что на 50% больше, чем примерно 60 нм внешний слой, используемый на стороне n-TOPCon.** Это не произвольное увеличение. Бор имеет более низкую растворимость в поли-Si, чем фосфор, поэтому сильно легированная область требует большей толщины для снижения удельного контактного сопротивления. В то же время этап предварительного отжига при 1050°C способствует диффузии бора внутрь. Более толстый внешний слой помогает предотвратить проникновение бора и повреждение нижнего слоя SiOx. Это противоположно стратегии n-TOPCon, где внешний слой может оставаться более тонким и более аморфным. ## Лицевая сторона: стратегия 430 Ом/□ заменяется локализацией Вопрос, оставшийся от предыдущего исследования, заключался в том, будет ли стратегия высокоомного борного эмиттера 430 Ом/□ по-прежнему применима к пальцевым контактам n-TOPCon на лицевой стороне. Ответ от элемента с КПД 26,34% очевиден: **нет. Конструкция переходит на другой путь.** Элемент с КПД 26,66% использует обычный борный диффузионный эмиттер на лицевой стороне с поверхностным сопротивлением 430 Ом/□. Тонкие металлические пальцы шириной около 10 мкм компенсируют более слабую латеральную проводимость. Элемент с КПД 26,34% удаляет обычный борный эмиттер на лицевой стороне и заменяет его **паттернированными пальцами n-TOPCon шириной примерно 210 мкм, оставляя поли-Si только под областями металлических контактов**. Механизм снижения рекомбинации, таким образом, меняется с разбавления концентрации легирующей примеси за счет высокого поверхностного сопротивления на уменьшение площади, покрытой поли-Si. - **Сначала модифицируется текстура.** Озон и HF используются для округления вершин пирамид. Это снижает плохую пассивацию и коррозию серебряной пасты вокруг острых пиков текстуры. - **В LPCVD вводится градиентное тепловое поле, или GTF.** Полная ширина на половине максимума по Раману достигает 8,4 см⁻¹. Более низкое значение указывает на лучшую кристалличность. Градиентное тепловое поле улучшает как латеральную, так и вертикальную однородность температуры и повышает кристалличность n+ поли-Si. - **Легирование фосфором достигает 3,3 × 10²⁰ см⁻³.** Это примерно на порядок выше концентрации фосфора, используемой в тыльном контакте с эффективностью 26,66%. Фронтальные n+ пальцы предназначены для проводимости, а не для полной пассивации. Основную работу по пассивации выполняет полнообластной тыльный p-TOPCon контакт. - **Ширина пальцев составляет примерно 210 мкм.** Поли-Si остается под металлом, а нетекстурная область без контакта остается открытой. Это значительно снижает паразитное поглощение с фронтальной стороны по сравнению с полнообластным поли-Si контактом. Подход с 430 Ом/□ относится к эпохе борового эмиттера. В пальцевой n-TOPCon структуре рекомбинация контролируется через **локальное покрытие поли-Si, округлую текстуру поверхности и улучшенную кристалличность от GTF-LPCVD**, а не просто увеличением листового сопротивления. Это помогает объяснить, как ячейка с эффективностью 26,34% достигает Voc 743,2 мВ, близко к 744,6 мВ, сообщенным для ячейки с эффективностью 26,66%, при этом также достигая более высокого Jsc. Локализованный фронтальный контакт снижает паразитное поглощение, которое осталось бы в полнообластной фронтальной поли-Si структуре. ## Сравнение бок о бок двух сестринских конструкций с эффективностью 26% ### Тыльные двухслойные контакты SiOx/poly-Si | Слой или процесс | 26,66% n-TOPCon тыльный | 26,34% p-TOPCon тыльный | Основная причина различия | | --- | --- | --- | --- | | Нижний SiOx | Примерно 1,3–1,6 нм, сформирован в O₂ при 620°C | Примерно 1,8 нм, сформирован in situ при 650°C | P-стороне нужен более сильный барьер против проникновения бора, хотя туннелирование дырок затруднено | | Внутренний поли-Si | Примерно 40 нм, слабо легирован фосфором и высококристаллический | 36 нм, слабо легированный бором | Бор имеет меньшую предельную растворимость; более тонкий внутренний слой всё ещё может обеспечивать пассивацию | | Промежуточный SiOx | Примерно 1,5 нм, сформирован в O₂ при 620°C | Примерно 1 нм, сформирован in situ | Туннелирование более требовательно на p-стороне, поэтому промежуточный слой не может быть слишком толстым | | Внешний поли-Si | Примерно 60 нм, сильно легированный фосфором и в основном аморфный | 90 нм, сильно легированный бором | Металлизация p+ поли-Si сложнее, требует более толстого слоя и модифицированной пасты | | Отжиг | Примерно 880–920°C | Предварительный отжиг при 1050°C, достижение 98% кристалличности | Бор требует более высокой температуры активации, при этом процесс также должен контролировать дефекты на границе раздела, связанные с бором | | Серебряная паста | Обычная паста в сочетании с аморфным внешним слоем | 4 мас.% оксида щелочного металла плюс шероховатый порошок серебра | Металлизация p+ поли-Si остаётся одним из основных технологических узких мест | ### Сравнение лицевой стороны | Позиция | 26,66% лицевая сторона | 26,34% лицевая сторона | | --- | --- | --- | | Структура | Полностью диффузионный эмиттер с бором | Локализованные n-TOPCon пальцы шириной примерно 210 мкм | | Стратегия контроля рекомбинации | Высокое поверхностное сопротивление 430 Ом/□ для разбавления легирования | Уменьшенное покрытие поли-Si в сочетании с закруглённой текстурой | | Текстура поверхности | Обычная текстура в виде инвертированных пирамид | Закруглённые пирамиды, обработанные озоном и HF | | Осаждение поли-Si | Не применимо | GTF-LPCVD с шириной пика Рамана на полувысоте 8,4 см⁻¹ | | Легирующая примесь | Бор | Фосфор при концентрации 3,3 × 10²⁰ см⁻³ | ## Что говорят две статьи о разработке тыльного контакта выше 26% Совокупное сообщение довольно прямое. > **На уровне 25% основное внимание уделялось поведению проколов в оксидном слое. На уровне 26% разработка сместилась в сторону двухслойных структур SiOx/poly-Si и инженерии металлизации. Выше 26,3% пути начинают расходиться: тыльные контакты n-TOPCon стремятся к бифациальной электрической синергии, в то время как тыльные контакты p-TOPCon движутся к структуре с задним переходом и локализованными фронтальными пальцами. Последнее уже близко к частичной архитектуре BC-TOPCon.** Промежуточный слой SiOx, используемый для блокировки проникновения серебра, является общей чертой обеих двухслойных конструкций тыльных контактов. Однако сторона p-TOPCon должна решить три дополнительные проблемы: - Для активации бора, повышения кристалличности и подавления проблем, связанных с бором на границе раздела, необходим этап предварительного отжига при 1050°C. - Для решения сложной задачи металлизации p+ poly-Si требуется серебряная паста, модифицированная оксидом щелочного металла. - Полировка и планаризация тыльной стороны становятся более критичными, поскольку p-TOPCon более чувствителен к текстуре поверхности и её влиянию на J₀. Эти проблемы не были центральными для конструкции n-TOPCon с КПД 26,66%. Проще говоря, **двухслойный тыльный контакт p-TOPCon сложнее в производстве, чем его аналог n-TOPCon, но после контроля процесса он может обеспечить более высокий потенциал Voc.** Двухслойный тыльный контакт p-TOPCon в ячейке с КПД 26,34% достиг подразумеваемого Voc 747 мВ, что немного выше оценочного общего уровня подразумеваемого Voc, обсуждавшегося для конструкции с КПД 26,66%. ## Параметры производственной линии, которые можно применять напрямую 1. **Улучшите полировку и планаризацию тыльной стороны.** Линия по производству p-TOPCon не должна рассматривать полировку тыльной стороны как процесс, который должен быть просто «достаточно хорошим». Планаризация оказывает более сильное влияние на J₀ двухслойного контакта p-TOPCon, чем на n-TOPCon. 2. **Сформируйте промежуточный слой SiOx in situ толщиной примерно 1 нм.** Копирование термического оксида толщиной 1,5 нм, использованного в структуре n-TOPCon с КПД 26,66%, может снизить туннелирование и ухудшить FF на p-стороне. 3. **Введите этап предварительного отжига при 1050°C.** Без этой обработки трудно достичь активации бора и кристалличности 98%, что делает подразумеваемый Voc 747 мВ маловероятным. 4. **Используйте серебряную пасту, модифицированную оксидом щелочного металла.** В описанной рецептуре используется 4 мас.% Na₂O/K₂O и грубый серебряный порошок. Удельное контактное сопротивление 0,55 мОм·см² является сложной целью для стороны p-TOPCon. Обычная паста может привести к резкому росту последовательного сопротивления на p+ контакте. 5. **Контролируйте ширину фронтальных пальцев на уровне примерно 210 мкм.** Точность лазерной структуризации должна соответствовать более узкой геометрии контактов. Дальнейшее уменьшение ширины пальцев могло бы снова снизить паразитное поглощение, но повреждение двухслойного стека лазером потребовало бы переоценки. ## Следующий вопрос для BC-TOPCon Структура с эффективностью 26,34%, с фронтальными пальцами n-TOPCon и полнообластным двухслойным тыловым контактом p-TOPCon, фактически является частичной версией BC-TOPCon. Логичным следующим шагом было бы также локализовать тыловой контакт p-TOPCon, расположив тыловые p-типа и n-типа пальцы в виде гребенчатой структуры. Это создало бы истинную структуру BC-TOPCon. Это поднимает новый вопрос. Должен ли промежуточный слой SiOx в локализованном тыловом контакте p-TOPCon оставаться чистым SiO₂, или его следует заменить на **легированный азотом SiOx по маршруту типа OGO** для усиления полевой пассивации? Другой вариант — это **стек AlOx/SiOx**, использующий полевой эффект оксида алюминия вместе с двухслойным контактом SiOx/poly-Si. Исследование с эффективностью 26,34% не рассматривало этот вопрос, поскольку его тыловой контакт p-TOPCon оставался полнообластным и не зависел от локализованной полевой пассивации. Однако, как только тыловой p-типа контакт становится пальцевым, комбинация полевой пассивации AlOx и двухслойной структуры SiOx/poly-Si может стать серьезным вариантом для следующего шага. Существует также вопрос, связанный с тандемным процессом. Нижний элемент, использованный в тандеме с эффективностью 32,73%, имеет текстурированную фронтальную поверхность. Моделирование на рисунке 1 показывает, что двусторонняя конфигурация с пальцами TOPCon может иметь более высокий тандемный потенциал, чем полнообластная двусторонняя структура TOPCon. Но как следует контролировать однородность фотолюминесценции на текстурированной фронтальной поверхности с локализованными пальцами n-TOPCon? Чрезмерная энергия лазера может локально обжечь или сгладить вершины пирамид. Это может частично съесть технологическое окно, созданное обработкой скругленных пирамид. В трех исследованиях — от элемента Das Solar с эффективностью 25,4% до элементов с эффективностью 26,66% и 26,34% — логика тылового контакта прошла через три поколения: **контроль питтинга оксида, двойная защита от проникновения серебра и, наконец, двойной слой p-TOPCon в сочетании с металлизацией, модифицированной щелочными металлами.** ## Мнение Ooitech Окно технологического процесса здесь является настоящим узким местом. Как только p-TOPCon переходит от полнообластного тылового контакта к локализованным BC-пальцам, удельное контактное сопротивление, лазерные повреждения, активация бора и полевая пассивация должны быть оптимизированы как единая связанная система. Более тонкий промежуточный слой SiOx может защитить FF, но также оставляет меньше запаса против проникновения серебра и повреждения границы раздела, вызванного бором. Следующим полезным результатом будет тот, который продемонстрирует это полное окно интеграции на пластинах промышленного размера, а не только пиковое значение эффективности. ## Дополнительные материалы и справочные данные Публичные справочные материалы по этой теме, опубликованные организациями, которые поддерживают технологическую дорожную карту и рыночные данные отрасли: - [VDMA — Международная технологическая дорожная карта по фотовольтаике (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) - [Fraunhofer ISE — Отчёт по фотовольтаике](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [pv magazine — мировые новости фотоэлектрической отрасли и технические материалы](https://www.pv-magazine.com/) --- ##### Теги: ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Запросить предложение Все загрузки безопасны и конфиденциальны. ## Мы предоставляем экспертизу, которой можно доверять наш сервис Оборудование напрямую с завода. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Экономически эффективные преимущества Мы предоставляем исключительную ценность, максимизируя результаты и оптимизируя бюджеты для клиентов. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Наша опытная команда Наши квалифицированные специалисты специализируются на инновационных решениях и индивидуальных стратегиях. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### Более 15 лет опыта в отрасли Глубокий опыт гарантирует надежные, актуальные и проверенные результаты для успеха. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Что наши клиенты говорят о нас Отзывы клиентов хвалят наше глубокое понимание их задач, что приводит к инновационным решениям и высокой рентабельности инвестиций. Долгосрочное сотрудничество — некоторые более десяти лет — демонстрирует их доверие и удовлетворенность. Их истории успеха побуждают нас постоянно превосходить ожидания. [Узнать больше **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) благодарим за профессиональную поддержку ooitech и своевременное послепродажное обслуживание. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Диарра из Африки ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Спасибо Ooitech за предоставление высокоподходящего экспериментального оборудования для BC солнечных элементов. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Спасибо Ooitech за предоставление полностью автоматизированного производственного оборудования — ваша установка и послепродажное обслуживание были отличными. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Амджад ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Ещё раз большое спасибо за огромную помощь в улучшении и исправлении фабрики, а также за обучение рабочих использованию машин ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Марк BIPV Филиппины ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Человек с большой душой. Большое спасибо за ваш визит, господин Ву. Большое спасибо за услуги по установке оборудования и обучению моих студентов. Самый добрый человек и профессионал в своей области ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Джизакский политехнический институт ## Наша новейшая продукция ![Машина для фотогальванической ленты — линия волочения и лужения проволоки](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026051111285937.webp) - [** ooitech](./photovoltaic-ribbon-wire-drawing-and-tinning-integrated-production-line.html) - [** 819](./photovoltaic-ribbon-wire-drawing-and-tinning-integrated-production-line.html) ### Машина для фотогальванической ленты — линия волочения и лужения проволоки Интегрированная линия волочения и лужения проволоки для фотогальванической ленты: как круглая и плоская солнечная лента вытягивается, покрывается и наматывается за один проход, с проверками. ![Фотоэлектрическая лента и флюс — низкотемпературная паяльная лента](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032717287347.webp) - [** Rachael](./Solar-Panel-Soldering-Ribbon-and-Flux-Essential-Components-for-PV-Module-Manufacturing.html) - [** 21163](./Solar-Panel-Soldering-Ribbon-and-Flux-Essential-Components-for-PV-Module-Manufacturing.html) ### Фотоэлектрическая лента и флюс — низкотемпературная паяльная лента Фотоэлектрическая лента и флюс для межсоединения солнечных элементов: низкотемпературная паяльная лента из высокочистой меди с оловянным покрытием, поддерживающая линии MBB и half-cut. ![CHT9930A Тестер непрерывности заземления: 5-60A, 600W](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774605285835810.webp) - [** ooitech](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) - [** 645](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) ### CHT9930A Тестер непрерывности заземления: 5-60A, 600W Тестер непрерывности заземления CHT9930A обеспечивает программируемый выходной ток DC 5-60A с диапазоном измерения 0.01μΩ-600mΩ для сопротивления заземления солнечного модуля ![C350-CQC Станок для резки полос EVA и TPT: 30-80 мм](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032714363679.webp) - [** Rachael](./ECPC-C350-CQC-Punching-and-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Material-Processing-Equipment.html) - [** 34728](./ECPC-C350-CQC-Punching-and-Cutting-Machine-High-Precision-Solar-Panel-Material-Processing-Equipment.html) ### C350-CQC Станок для резки полос EVA и TPT: 30-80 мм Пробивная и резальная машина C350-CQC — 30 шт/мин, точность ±0,2 мм для материалов EVA, TPT и PPE. Прецизионная обработка для шин и ![Солнечная распределительная коробка и диодная коробка — класс защиты IP67/IP68](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032739568544.jpg.webp) - [** Rachael](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html) - [** 15517](./Solar-Junction-Box-J-Box-Advanced-PV-Module-Protection-Power-Management-System.html) ### Солнечная распределительная коробка и диодная коробка — класс защиты IP67/IP68 Солнечная распределительная коробка и диодная коробка с обходными диодами класса защиты IP67/IP68: защита от горячих точек, разъёмы MC4 и опциональный мониторинг тока вашего модуля. ![Однослойный двухкамерный автоматический ламинатор BIPV](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63342](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### Однослойный двухкамерный автоматический ламинатор BIPV Ooitech OTCY-2754DD Однокамерный автоматический ламинатор BIPV с двойной камерой оснащён двумя зонами ламинации 2700x5400 мм, верхним и нижним двойным нагревом