# Последние исследования PIP: химическая эволюция > Подробный обзор недавних исследований, опубликованных в Progress in Photovoltaics, объясняющих, как воздействие УФ-излучения изменяет распределение водорода и кислорода ![Последние исследования PIP: химическая эволюция](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260724/7f797526b12f6e13e0c7d70cc0cabf75.webp) - ** Jerry - ** 2026-07-24 - ** 278 просмотров - ** [Блог](./Blog.html) ## Последние исследования PIP: химическая эволюция **Краткий ответ:** Исследование потенциально-индуцированной деградации под воздействием света и тепла — PIP — отслеживает, как химия стека TOPCon-элемента эволюционирует в условиях ускоренного стресса, а не только то, сколько мощности он теряет. PIP отличается от классического PID тем, что деградация вызвана сочетанием освещения, температуры и напряжения, что более точно воспроизводит полевые условия, чем тёмный тест на влажное тепло. В работе используются пластины форматов 182 мм и 105 мм и образцы модульного уровня около 300 Вт, с условиями стресса около 60 °C и заявленными потерями около 11% в затронутых случаях. Для производства важно то, что деградация частично обратима, а частично нет, поэтому тест, который фиксирует только конечную мощность, упускает механизм. Отслеживание химической эволюции позволяет определить, какое изменение стека могло бы это исправить. Производство PV-модулей · от Джерри, Ooitech ## Актуальность исследования TOPCon солнечных элементов при воздействии УФ-излучения" title="Последние исследования PIP: химическая эволюция и электрическая деградация солнечных элементов TOPCon при воздействии УФ-излучения"/> TOPCon стала одной из основных технологий в кристаллической кремниевой фотоэлектрической промышленности. Однако высокая эффективность не всегда означает долгосрочную стабильность. Различия в ультрафиолетовой деградации (UVID) были зарегистрированы для нескольких структур солнечных элементов. TOPCon, PERC и HJT элементы могут быть подвержены этому, но места деградации и доминирующие механизмы не совсем одинаковы. В прошлых обсуждениях УФ-деградации часто акцентировалось внимание на разрыве связей Si-H высокоэнергетическими фотонами, с последующим выделением водорода и изменениями в пассивации интерфейса. Ультрафиолетовый спектр в реальной среде PV-модуля не ограничивается одной длиной волны. Освещенная фронтальная поверхность также содержит несколько связанных областей, включая SiNx, Al2O3, борный эмиттер и металлические контакты. Поэтому авторы утверждают, что УФ-деградацию в TOPCon элементах не следует изучать только через поведение водорода. Миграция кислорода и контактные интерфейсы также важны. Одна деталь легко упускается из виду. Стекло модуля обычно отфильтровывает большую часть УФ-В излучения, но оно не полностью защищает освещенную поверхность элемента от ультрафиолетового воздействия. Спектр, обсуждаемый в статье, в основном состоит из УФ-А, но содержит около 11% УФ-В. Авторы использовали незакапсулированные образцы. Поэтому эксперимент не эквивалентен наружному старению полного модуля, но он помогает усилить и разделить УФ-чувствительные области на фронтальной поверхности элемента. Эту статью лучше рассматривать как исследование механизмов деградации, а не как исследование сертификации срока службы модуля. Относительная потеря эффективности на 6,72% после UV60 не должна напрямую переводиться в ожидаемую потерю мощности наружного модуля. Более важным является то, как авторы используют различные методы характеризации для связи повреждения фронтальной пассивации, окисления интерфейса и деградации металлических контактов. ## Методика эксперимента В исследовании использовались коммерческие TOPCon-элементы с половинным разрезом размером 182 мм × 105 мм. Элементы были изготовлены из монокристаллического кремния n-типа, выращенного методом Чохральского, с удельным сопротивлением около 1,0 Ом·см и толщиной пластины примерно 130 мкм. Для сравнения устойчивости к УФ-излучению лицевой и тыльной структур исследователи также подготовили симметричные образцы с лицевой поверхностью и симметричные образцы с тыльной поверхностью. Лицевая структура состояла из SiNx/Al2O3. Тыльная структура состояла из SiOx/n+ poly-Si/Al2O3/SiNx. Основные толщины пленок, указанные в статье, приведены ниже. | Структура или материал | Указанная спецификация | | --- | --- | | Размер коммерческого TOPCon-элемента | 182 мм × 105 мм | | Кремниевая подложка | Монокристаллический кремний n-типа (Чохральский) | | Удельное сопротивление подложки | Примерно 1,0 Ом·см | | Толщина пластины | Примерно 130 мкм | | Толщина SiOx | Примерно 1,5 нм | | Толщина n+ poly-Si | Примерно 120 нм | | Толщина Al2O3 | Примерно 5 нм | | Толщина SiNx | Примерно 80 нм | Исследователи сравнивали время жизни неосновных носителей, подразумеваемое напряжение холостого хода и J0 до и после воздействия для оценки стабильности пассивации. Для отслеживания распределения водорода и кислорода по глубине использовалась масс-спектрометрия вторичных ионов с времяпролетным анализом (ToF-SIMS). Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS) с профилированием по глубине применялась для анализа химических состояний N 1s, O 1s, Al 2p и Si 2p. Затем измерения EQE, TLM и I-V связали изменения тонких пленок с электрическими потерями на уровне элементов. Сила этой экспериментальной схемы заключается в совместном использовании полных элементов и симметричных структур. Полные элементы показывают, как изменяются эффективность, Voc, Jsc, фактор заполнения и контактное сопротивление. Симметричные образцы с лицевой и тыльной поверхностью уменьшают влияние остальной части структуры элемента, что облегчает определение того, какая сторона пассивации более чувствительна к УФ-воздействию. Рисунок 1: Схемы TOPCon-элемента, симметричной структуры с лицевой поверхностью и симметричной структуры с тыльной поверхностью. Симметричные образцы позволяют раздельно сравнить устойчивость к УФ-излучению лицевого стека SiNx/Al2O3 и тыльного пассивирующего контакта poly-Si. Условия УФ-облучения также необходимо рассматривать отдельно. В исследовании использовалась интенсивность ультрафиолета 300 Вт/м², температура 60°C, относительная влажность 30% и максимальная накопленная доза 60 кВт·ч/м². Спектр был сосредоточен в основном в диапазоне UVA, с меньшей компонентой UVB. Это более концентрированно, чем обычное наружное облучение, и подходит для ускорения наблюдаемых химических изменений на лицевой поверхности в лабораторных условиях. | Параметр УФ-теста | Условия испытания | | --- | --- | | Интенсивность УФ | 300 Вт/м² | | Температура | 60°C | | Относительная влажность | 30% | | Максимальная доза УФ | 60 кВт·ч/м² | | Основная область спектра | UVA | | Содержание UVB | Примерно 11% | | Состояние образца | Без инкапсуляции | Рисунок 2: Ультрафиолетовый спектр, использованный в эксперименте. Спектр преимущественно состоит из UVA и содержит меньшую компоненту UVB, что позволяет наблюдать влияние фотонов с более высокой энергией на лицевые пассивирующие слои. ## Результаты и обсуждение ### Лицевая структура明显 более чувствительна к УФ, чем тыльная структура Рисунок 3 дает наиболее прямое сравнение двух структур. Симметричная тыльная структура показала лишь незначительные изменения после UV60. Симметричная лицевая структура продолжала деградировать с увеличением дозы УФ. Согласно статье, среднее время жизни лицевых образцов снизилось с 2895,6 мкс до 1552,8 мкс. Подразумеваемое напряжение холостого хода упало с 735,5 мВ до 715,2 мВ. Односторонний J0 увеличился до 18,4 фА/см², что примерно в три раза превышает его начальное значение. Эти результаты указывают на то, что основной проблемой при UV60 была не нестабильность тыльного TOPCon пассивирующего контакта на поликремнии. Это было ухудшение качества пассивации в освещенной лицевой структуре SiNx/Al2O3. Авторы объясняют относительную стабильность тыльной стороны поглощением УФ слоем поликремния толщиной 120 нм. Это разумный механизм, основанный на структуре и ее оптических характеристиках поглощения, хотя это остается интерпретацией на уровне механизма. Три параметра подтверждают один и тот же вывод с разных сторон. Более низкое время жизни и более низкое iVoc указывают на более сильную поверхностную рекомбинацию. Увеличение J0 дает более прямое доказательство возросшего тока рекомбинации. Авторы не полагались на единственный показатель. Время жизни, напряжение и ток рекомбинации — все показывают ухудшение фронтальной структуры, в то время как зеленые кривые, представляющие тыльную структуру, остаются в значительной степени стабильными. Рисунок 3: Изменения времени жизни, подразумеваемого напряжения холостого хода и J0 для фронтальной и тыльной структур при воздействии УФ-излучения. Красные кривые фронтальной структуры показывают большее ухудшение, что указывает на освещаемый пассивирующий стек SiNx/Al2O3 как на основное слабое место. ### ToF-SIMS показывает перераспределение как водорода, так и кислорода Профили глубины ToF-SIMS показывают, что деградация фронтальной поверхности вызвана не только одним элементом. На рисунке 4a концентрация водорода увеличивается после УФ60, особенно в слое SiNx. Авторы предполагают, что это может быть результатом не только часто обсуждаемого разрыва связей Si-H, но и разрыва связей N-H внутри SiNx. Рисунок 4b показывает, что распределение кислорода также меняется. Концентрация кислорода в слое Al2O3 немного уменьшается, в то время как она увеличивается вблизи границ раздела SiNx/Al2O3 и Al2O3/Si. Авторы интерпретируют это как результат разрыва связей Al-O в Al2O3 с последующей диффузией высвободившегося кислорода к слою SiNx и поверхности кремния. Ключевой момент заключается не просто в том, что кислорода стало больше. Кислород покидает свою исходную кристаллическую решетку или связь и изменяет химическое состояние границ раздела. Расположение каждого изменения кривой имеет значение. Более сильный сигнал водорода в области SiNx показывает, что верхняя пассивирующая пленка непосредственно участвует в реакции. Изменения кислорода вблизи границ раздела указывают на химическую нестабильность между Al2O3 и соседними слоями. В совокупности эти результаты помогают объяснить, почему деградация фронтальной поверхности влияет как на качество пассивации, так и на конечные электрические характеристики. Рисунок 4: Распределение водорода и кислорода по глубине ToF-SIMS до и после УФ60. Водород увеличивается в пассивирующем стеке, в то время как кислород перераспределяется вблизи границ раздела, что дает ключ к разгадке изменений химических связей, позже идентифицированных с помощью XPS. ### XPS связывает разрыв связей N-H, кислородные вакансии и увеличение Al-OH Подогнанные спектры XPS N 1s показывают, что доля связей N-H на границе раздела SiNx/Al2O3 снизилась с 9,64% до 5,97%. Это подтверждает вывод авторов о том, что связи N-H также участвуют в выделении водорода. В то же время сигнал N-H увеличился вблизи поверхности SiNx, что позволяет предположить, что часть выделившегося водорода может мигрировать в область SiNx и образовывать там новые связи. Изменения O 1s являются одной из наиболее характерных частей исследования. Авторы разделили сигнал O 1s на решеточный кислород, компоненты, связанные с кислородными вакансиями, и поверхностно-адсорбированный кислород. После UV60 доля пиков, связанных с кислородными вакансиями, увеличилась как на границе раздела SiNx/Al2O3, так и на границе Al2O3/Si. Это указывает на ухудшение качества пленки Al2O3. Эти данные расширяют механизм деградации за пределы потери пассивации, вызванной водородом. Водородная и кислородная деградация, по-видимому, действуют совместно, увеличивая рекомбинацию на фронтальной поверхности. ToF-SIMS и XPS предоставляют различные типы информации. ToF-SIMS лучше подходит для демонстрации распределения элементов по глубине стека пленок. XPS помогает определить химическое состояние этих элементов. Подгонка N-Si и N-H в спектрах N 1s, а также компоненты решеточного кислорода и кислородных вакансий в спектрах O 1s переводят анализ от локализации элементов к изменениям в химических связях. Авторы отмечают, что связи Al-O обладают относительно высокой энергией связи в идеальном кристаллическом Al2O3. Однако реальные пассивирующие пленки солнечных элементов обычно являются аморфными. Недостаточно координированные ионы алюминия и кислородные вакансии могут снижать локальный энергетический барьер для разрыва связей. По этой причине даже фотоны с самой длинной длиной волны эксперимента 400 нм, что соответствует примерно 3,1 эВ, могут вызывать структурные изменения, связанные с Al-O, в среде, богатой дефектами. Эта интерпретация напрямую связывает дефекты тонких пленок с чувствительностью к УФ-излучению. Рисунок 5: Подогнанные спектры XPS N 1s и O 1s. Изменения в связях N-H соответствуют выделению и миграции водорода. Увеличение компонента, связанного с кислородными вакансиями, в спектрах O 1s указывает на снижение качества пассивации Al2O3. ### Al2O3 не является полностью стабильным наблюдателем Рисунок 7 дополнительно отслеживает Al 2p и Si 2p на границе раздела Al2O3/Si. После UV60 доля, отнесенная к компоненту Al2O3, снизилась с 69,99% до 60,36%, в то время как Al-OH увеличилась с 30,01% до 39,64%. Это указывает на явную конверсию структур, связанных с Al-O, под воздействием ультрафиолетового излучения. Результаты Si 2p показывают появление и увеличение Si2+ после UV60, в то время как компоненты, связанные с Si, Si3+ и Si4+, уменьшаются. На основе этих результатов авторы предполагают, что свободный кислород, диффундирующий к границе раздела Al2O3/Si, может окислять кремний, в то время как в слое Al2O3 образуются кислородные вакансии. Спектры XPS подтверждают эту интерпретацию, хотя для подтверждения точного пути реакции все еще потребуется прямая характеризация in-situ. Это открытие важно для надежности фронтальной поверхности TOPCon. Al2O3 предназначен для обеспечения полевой пассивации и стабильности границы раздела. Как только структуры, связанные с Al-O, начинают превращаться в Al-OH, сопровождаясь более высокой концентрацией кислородных вакансий, пленка перестает быть просто защитным слоем. Она может стать частью самой реакции деградации. Изменения в состояниях окисления кремния также указывают на то, что химия границы раздела была изменена. Рисунок 6: Изменения в спектрах XPS Al 2p и Si 2p на границе раздела Al2O3/Si. Превращение структур, связанных с Al2O3, в Al-OH и изменения в состояниях окисления кремния показывают, что кислородные реакции участвуют в деградации фронтальной поверхности. ### Электрические потери в конечном итоге проявляются в Voc и факторе заполнения Как только химическое состояние пассивирующего стека изменяется, электрические эффекты на уровне ячейки становятся очевидными. На рисунке 8 EQE остается в значительной степени стабильным в средне- и длинноволновом диапазонах, но снижается ниже 500 нм. Отражательная способность остается почти неизменной. Это предполагает, что потеря отклика в коротковолновом диапазоне вызвана в основном более сильной рекомбинацией на фронтальной поверхности, а не внезапным ухудшением текстурирования, антиотражающих свойств или оптического поглощения. Рисунок 7: Кривые EQE и отражательной способности до и после UV60. Отражательная способность остается почти стабильной, в то время как коротковолновая EQE снижается, что указывает на то, что потеря токового отклика в основном связана с повышенной рекомбинацией на фронтальной поверхности. Снижение коротковолновой EQE согласуется с ранее отмеченным увеличением J0. Коротковолновый свет поглощается близко к фронтальной поверхности ячейки. Если пассивация фронтальной поверхности повреждена, носители, генерируемые в этой области, с большей вероятностью рекомбинируют до сбора. Поэтому потеря сначала проявляется в коротковолновом диапазоне EQE. Средне- и длинноволновый свет проникает глубже в объем или к тыльной стороне, поэтому соответствующие изменения отклика меньше. Измерения TLM показывают, что удельное контактное сопротивление фронтальной стороны увеличивалось почти линейно с дозой УФ-облучения. После UV60 оно достигло 4,1 мОм·см², что примерно в 8,6 раза превышает исходное значение. Авторы предполагают, что свободный водород, свободный кислород и активные радикалы, образующиеся при УФ-облучении, могут участвовать в реакциях на границе раздела с металлическим электродом, увеличивая контактное сопротивление. Это объяснение согласуется с измерениями сопротивления, хотя точные продукты реакций на границе электрода все еще требуют более прямых химических доказательств. Рисунок 8: Удельное контактное сопротивление фронтальной стороны увеличивается с дозой УФ-облучения. После UV60 удельное контактное сопротивление составляет примерно 8,6 от исходного значения, что является важным фактором потери фактора заполнения. Итоговое относительное ухудшение параметров ячейки было представлено следующим образом. | Параметр ячейки | Относительное ухудшение после UV60 | | --- | --- | | Voc | 3.46% | | Jsc | 0.64% | | Фактор заполнения | 2.82% | | Эффективность | 6.72% | | Удельное контактное сопротивление фронтальной стороны | 4,1 мОм·см², примерно в 8,6 раза превышает исходное значение | Центральный электрический вывод ясен. При UV60 основные потери TOPCon не связаны с уменьшением тока. Они связаны с потерей Voc из-за деградации пассивации фронтальной поверхности и потерей фактора заполнения, связанной с увеличением контактного сопротивления фронтальной стороны. Это также объясняет, почему рассмотрение только Jsc может недооценивать риск деградации под воздействием УФ. Изменения EQE в коротковолновой области происходят, но общий Jsc уменьшается всего на 0,64%. Рекомбинация и контактные проблемы создают большую потерю эффективности. В высокоэффективных TOPCon-ячейках Voc и фактор заполнения очень чувствительны к качеству границ раздела, состоянию пассивации и характеристикам металлических контактов. Эти параметры могут выявлять слабые места надежности раньше, чем Jsc. Рисунок 9: Относительное ухудшение Voc, Jsc, фактора заполнения и эффективности при UV60. Эффективность снижается на 6,72%, в основном за счет потерь Voc и фактора заполнения, в то время как изменение Jsc остается относительно небольшим. ## Оценка механизма и применения Предложенный механизм можно резюмировать следующим образом: УФ-облучение изменяет состояния связей в структуре фронтальной SiNx/Al2O3. Связи Si-H и N-H разрываются, высвобождая водород. Структуры, связанные с Al-O, трансформируются, и образуются кислородные вакансии. Свободный кислород мигрирует к границам раздела, рекомбинация на фронтальной поверхности увеличивается, а электрохимические реакции в области контакта могут увеличивать контактное сопротивление фронтальной стороны. Результаты измерений времени жизни, iVoc, J0, EQE, TLM и I-V напрямую подтверждают электрическую деградацию. ToF-SIMS и XPS подтверждают миграцию водорода и кислорода, а также связанные с этим изменения химических связей. Интерпретация интерфейса металлического электрода требует большей осторожности. Статья в основном делает вывод об этом механизме на основе повышенного контактного сопротивления и результатов более ранних исследований. Для более убедительного подтверждения потребовались бы данные о распределении элементов, измерения химического состояния или анализ поперечного сечения интерфейса электрода. Для промышленного производства данная статья напоминает о том, что надежность TOPCon при УФ-излучении нельзя оценивать только по начальному КПД ячейки. На долгосрочные энергетические характеристики могут влиять несколько факторов: - Качество материала фронтального стека пассивации SiNx/Al2O3 - Концентрация водорода и стабильность связей Si-H и N-H - Концентрация кислородных вакансий в слое Al2O3 - Стабильность интерфейса металлического контакта - Фильтрация UVA и UVB стеклом модуля и [инкапсулянт](https://www.ooitech.com/EVA-POE-EPE-Encapsulant-Film-for-Solar-Panel-Manufacturing-Complete-Technical-Guide.html)s - Взаимодействие между ультрафиолетовым излучением, влагой, теплом, механическим напряжением и электрическими полями При рассмотрении данного исследования на уровне модуля реальный спектр, достигающий ячейки, будет дополнительно отфильтрован стеклом и инкапсулирующей пленкой. Влага, термическое напряжение и электрические поля также будут участвовать в старении. Поэтому механизмы, описанные в статье, более полезны как направления для оптимизации материалов и процессов, чем как замена испытаниям по стандартам IEC или долгосрочным данным натурных испытаний на открытом воздухе. Ценным следующим шагом была бы оценка неинкапсулированных ячеек, инкапсулированных мини-модулей и модулей, экспонированных на открытом воздухе, в рамках одной и той же системы валидации. Это позволило бы легче определить, какие химические изменения остаются важными после реалистичной спектральной фильтрации и воздействия окружающей среды. Возможные направления оптимизации процесса включают: - Снижение содержания нестабильных источников водорода во фронтальном стеке SiNx/Al2O3 - Улучшение аморфной сетки Al2O3 и контроль кислородных вакансий - Оптимизация условий обжига и металлизации для лучшей стабильности контактного интерфейса - Повышение устойчивости к реакциям, связанным с окислением, вокруг фронтального металлического контакта - Выбор инкапсулирующих материалов, снижающих прямое воздействие высокоэнергетического УФ-излучения на поверхность ячейки Статья не дает полного решения. Она более четко определяет границы проблемы и показывает, что пассивация фронтальной поверхности и инженерия контактов должны рассматриваться совместно. ## Вывод исследования: что необходимо решить дальше С помощью испытаний на экспозицию UV60 авторы показывают, что фронтальная структура SiNx/Al2O3 TOPCon-элементов более уязвима к ультрафиолетовой деградации, чем тыловой пассивирующий контакт poly-Si. Деградация не вызвана одним изолированным фактором. Водородные процессы, кислородные процессы и повышенное сопротивление фронтального контакта вносят свой вклад. Важность этой работы заключается в расширении объяснения UV-деградации TOPCon за пределы разрыва связей Si-H. В ней представлена более широкая концепция химической эволюции фронтальной поверхности. Снижение риска UVID, вероятно, потребует скоординированной оптимизации фронтального пассивирующего стека, кислородных вакансий на границе раздела, управления водородом, металлизационных контактов и УФ-фильтрации модульной упаковкой. Настройки только одного параметра пленки может быть недостаточно. Ограничения должны оставаться очевидными. Образцы не были инкапсулированы в указанных условиях УФ-облучения, и часть предложенного механизма деградации металлического контакта все еще является умозрительной. Наиболее осторожная интерпретация заключается в том, что статья демонстрирует четкую взаимосвязь между эволюцией химического состава и электрической деградацией на фронтальной поверхности TOPCon под воздействием УФ-излучения. Она также предоставляет конкретные цели для будущих исследований долгосрочной надежности после инкапсуляции. ## Ссылка Lou, X., Yang, N., Fu, Z., Chen, D., Chen, Y., & Verlinden, P. J. (2026). Chemical composition evolution and electrical performance degradation of TOPCon solar cells under UV exposure. Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 1–9. ## Мнение Ooitech Практический вывод прост: пассивация фронтальной стороны и металлизация должны рассматриваться как единая система надежности, а не как отдельные технологические этапы. Стабильного начального Voc недостаточно, если УФ-облучение может изменить химию Al2O3 и неуклонно повышать сопротивление фронтального контакта. Будущая валидация должна связывать испытания элементов на уровне ячеек с испытаниями инкапсулированных мини-модулей при реалистичных спектрах стекла и инкапсулянта. ## Дополнительные материалы и справочные данные Публичные справочные материалы по этой теме, опубликованные организациями, которые поддерживают технологическую дорожную карту и рыночные данные отрасли: - [Fraunhofer ISE — Отчёт по фотовольтаике](https://www.ise.fraunhofer.de/en/publications/studies/photovoltaics-report.html) - [Министерство энергетики США — Фотовольтаика](https://www.energy.gov/eere/solar/photovoltaics) - [VDMA — Международная технологическая дорожная карта по фотовольтаике (ITRPV)](https://www.vdma.org/international-technology-roadmap-photovoltaic) --- ##### Теги: ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Запросить предложение Все загрузки безопасны и конфиденциальны. ## Мы предоставляем экспертизу, которой можно доверять наш сервис Оборудование напрямую с завода. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Экономически эффективные преимущества Мы предоставляем исключительную ценность, максимизируя результаты и оптимизируя бюджеты для клиентов. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Наша опытная команда Наши квалифицированные специалисты специализируются на инновационных решениях и индивидуальных стратегиях. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### Более 15 лет опыта в отрасли Глубокий опыт гарантирует надежные, актуальные и проверенные результаты для успеха. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Что наши клиенты говорят о нас Отзывы клиентов хвалят наше глубокое понимание их задач, что приводит к инновационным решениям и высокой рентабельности инвестиций. Долгосрочное сотрудничество — некоторые более десяти лет — демонстрирует их доверие и удовлетворенность. Их истории успеха побуждают нас постоянно превосходить ожидания. [Узнать больше **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Спасибо Ooitech за предоставление высокоподходящего экспериментального оборудования для BC солнечных элементов. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) благодарим за профессиональную поддержку ooitech и своевременное послепродажное обслуживание. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Диарра из Африки ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Человек с большой душой. Большое спасибо за ваш визит, господин Ву. Большое спасибо за услуги по установке оборудования и обучению моих студентов. Самый добрый человек и профессионал в своей области ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Джизакский политехнический институт ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Ещё раз большое спасибо за огромную помощь в улучшении и исправлении фабрики, а также за обучение рабочих использованию машин ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Марк BIPV Филиппины ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Спасибо Ooitech за предоставление полностью автоматизированного производственного оборудования — ваша установка и послепродажное обслуживание были отличными. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Амджад ## Наша новейшая продукция ![SPZ-A Машина для заливки клея в распределительную коробку: дозирование ±2%](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774504501115202.webp) - [** Rachael](./junction-box-ab-component-filling-glue-machine-spz-ab10s-jh-ooitech-solar-panel-production-equipment.html) - [** 26590](./junction-box-ab-component-filling-glue-machine-spz-ab10s-jh-ooitech-solar-panel-production-equipment.html) ### SPZ-A Машина для заливки клея в распределительную коробку: дозирование ±2% Ooitech SPZ-AB10S-JH Машина для заполнения клеем AB-компонентов соединительной коробки обеспечивает точное смешивание и дозирование двухкомпонентного клея для соединительной коробки солнечной панели ![Онлайн-машина для резки и укладки EVA/TPT GC-1500](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350387657887.webp) - [** Rachael](./gc-1500-eva-tpt-online-cutting-and-laying-machine-automatic-solar-panel-eva-backsheet-cutter-ooitech.html) - [** 37533](./gc-1500-eva-tpt-online-cutting-and-laying-machine-automatic-solar-panel-eva-backsheet-cutter-ooitech.html) ### Онлайн-машина для резки и укладки EVA/TPT GC-1500 Онлайн-машина для резки и укладки EVA/TPT GC-1500 от Ooitech обеспечивает автоматическую резку и укладку EVA, POE и заднего листа для производства солнечных панелей ![CHT9930A Тестер непрерывности заземления: 5-60A, 600W](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774605285835810.webp) - [** ooitech](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) - [** 645](./cht9930a-solar-module-ground-continuity-tester-dc-5-60a-programmable-grounding-resistance-test-equipment-ooitech.html) ### CHT9930A Тестер непрерывности заземления: 5-60A, 600W Тестер непрерывности заземления CHT9930A обеспечивает программируемый выходной ток DC 5-60A с диапазоном измерения 0.01μΩ-600mΩ для сопротивления заземления солнечного модуля ![Оборудование для испытаний на соответствие IEC: 0,1-10 кВ, 2600 мм](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032716200590.webp) - [** Rachael](./solar-panel-testing-equipment-for-iec-certification-complete-pv-module-test-solutions-by-ooitech.html) - [** 92541](./solar-panel-testing-equipment-for-iec-certification-complete-pv-module-test-solutions-by-ooitech.html) ### Оборудование для испытаний на соответствие IEC: 0,1-10 кВ, 2600 мм Ooitech предлагает полный ассортимент оборудования для тестирования солнечных панелей для сертификации IEC61215 и IEC61730, включая станции визуального контроля ![Станок для снятия рам с солнечных панелей: 120 панелей/час](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774608027244403.webp) - [** Rachael](./Solar-Panel-Frame-Removal-Machine-High-Efficiency-Automated-Deframing-Equipment.html) - [** 73721](./Solar-Panel-Frame-Removal-Machine-High-Efficiency-Automated-Deframing-Equipment.html) ### Станок для снятия рам с солнечных панелей: 120 панелей/час Гидравлический станок для снятия рам с солнечных панелей – автоматическое удаление рам для переработки фотоэлектрических модулей. Низкий процент повреждений, поддержка различных размеров панелей. ![C350-SZM Станок для гибки и резки ленточной шины: 2-8 мм](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032780265832.webp) - [** Rachael](./PV-Bus-Door-Glyph-Bend-Cutting-Machine-C350-SZM-Advanced-Solar-Module-Interconnect-Forming-Equipment.html) - [** 46936](./PV-Bus-Door-Glyph-Bend-Cutting-Machine-C350-SZM-Advanced-Solar-Module-Interconnect-Forming-Equipment.html) ### C350-SZM Станок для гибки и резки ленточной шины: 2-8 мм Станок для гибки и резки шин C350-SZM — программируемая одно-/двусторонняя гибка луженых медных шин. Поддерживает двойное стекло &