# Технология солнечных элементов TBC (TOPCon с задним контактом): полное > Подробный обзор технологии солнечных элементов TBC (TOPCon Back Contact / POLO-IBC), включая их структуру и полный технологический процесс ![Технология солнечных элементов TBC (TOPCon с задним контактом): полное](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260712/b328022a0ca3c179e39311d2ccf4fb5d.webp) - ** 2026-07-12 - ** 438 просмотров - ** [Блог](./Blog.html) ## Технология солнечных элементов TBC (TOPCon с задним контактом): полное **Краткий ответ:** TBC, или TOPCon back contact, — это тыльно-контактная ячейка, в которой на задней стороне используется пассивирующий контакт TOPCon, а не гетеропереходный контакт. Она вписывается в более широкую последовательность маршрутов, где отрасль переходит от однородных задних поверхностей к регионально дифференцированным задним архитектурам, назначая разный тип контакта каждой области задней стороны. Для производителя значимость TBC заключается в технологической совместимости: поскольку она строится на этапах процесса TOPCon, которые линии уже используют, это вариант с тыльными контактами, требующий наименьших затрат на внедрение на базе установленного TOPCon. Измерительная и характеризационная работа — инструменты для измерения времени жизни носителей, такие как класс WCT-120, — становится важнее с TBC, чем с фронтально-контактной ячейкой, потому что именно задний рисунок определяет, насколько качество пассивации реально влияет на эффективность. Инспекция задней стороны также становится инструментом контроля выхода годных, а не проверкой качества. Производство PV-модулей · от Джерри, Ooitech ## Обзор технологии Где TBC находится в более широкой последовательности маршрута и почему совместимость процессов сейчас важнее структуры, рассматривается в [Дорожная карта технологий BC-ячеек: от структуры к процессу](https://www.ooitech.com/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html). Содержание ниже предоставлено только для справки. При наличии технических нарушений или некорректных указаний, пожалуйста, свяжитесь с автором для удаления или исправления. ### Что такое элемент TBC? TBC расшифровывается как [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) Back Contact. Он объединяет пассивацию TOPCon (туннельный оксид плюс поликремний) с межпальцевой структурой обратных контактов IBC, поэтому его также называют POLO-IBC элементом. Он глубоко интегрирует туннельный оксид / поли-Si пассивацию TOPCon с компоновкой заднего контакта IBC. Это обеспечивает сильную пассивацию задней стороны TOPCon и преимущество IBC — отсутствие затенения от фронтальных шин, при этом весь сбор тока переносится на заднюю сторону. Результат — более высокое напряжение холостого хода и более высокий ток короткого замыкания. Это один из основных маршрутов высокоэффективных N-типа для следующего поколения. ### Ключевые преимущества - Отсутствие фронтальных металлических шин, что устраняет потери на затенение и увеличивает Isc - Туннельная пассивация TOPCon снижает рекомбинацию на задней стороне и повышает Voc - Междигитальная компоновка задних контактов P/N оптимизирует путь сбора носителей и снижает последовательное сопротивление - По сравнению со стандартным TOPCon и стандартным IBC, он балансирует качество пассивации и структурную интеграцию - Совместим с большинством основного оборудования на существующих линиях N-типа, поэтому процесс можно модернизировать поэтапно ### Сравнение с обычными элементами - Стандартный TOPCon: затенение от фронтальных шин, полная пассивация TOPCon на задней стороне - Стандартный IBC: структура заднего контакта, но пассивация основана на оксиде кремния / нитриде кремния, без туннельной поли-Si пассивации - TBC (POLO-IBC): структура заднего контакта IBC плюс интегрированная туннельная пассивация TOPCon, поэтому оптимизированы и структура, и пассивация ## Обзор полного технологического процесса Входная пластина → предварительная очистка / удаление повреждений от резки → нанесение тыльного туннельного оксида + поли-Si (LPCVD) → нанесение тыльной маски SiN → первое лазерное открытие с тыльной стороны (область бора) → легирование бором (p-poly) → второе лазерное открытие с тыльной стороны (область фосфора) → легирование фосфором (n-poly) → очистка для удаления обёрточной диффузии / BSG / PSG → нанесение тыльной пассивирующей плёнки → нанесение восковой маски для защиты тыльной стороны → текстурирование фронтальной стороны + изотропное травление для изоляции P/N → нанесение фронтальной и тыльной пассивирующей плёнки SiN с антиотражением → трафаретная печать тыльного металлического электрода → обжиг → электрический тест → сортировка и упаковка ## Детальные технологические спецификации ### 3.1 Очистка и полировка (предварительная очистка + удаление повреждений от резки) Цель: удалить слой повреждений от резки, металлические примеси с поверхности, частицы и масло; полировать пластину с одной или двух сторон для получения чистой, плоской кремниевой основы и обеспечения равномерности последующего осаждения туннельного слоя. Основное оборудование: линия встроенной влажной очистки и полировки, щелочная полировальная ванна, ванна кислотной очистки. Ключевые химикаты: сильная щёлочь (NaOH/KOH), HF, HCl, IPA, текстурирующая добавка, поверхностно-активное вещество. Ключевые контролируемые параметры: - Потеря веса при полировке: электронные весы - Отражательная способность поверхности: измеритель отражательной способности - Время жизни неосновных носителей iVoc: WCT-120 измеритель времени жизни - Визуализация рекомбинации носителей: PL-тестер (R3-PL) - Шероховатость и чистота поверхности: оптический микроскоп Контроль качества: полное удаление повреждений от резки, отсутствие пятен или ступеней на поверхности, равномерная потеря веса, отсутствие заметного снижения времени жизни. ### 3.2 Осаждение туннельного оксида + поли-Si Цель: вырастить ультратонкий туннельный оксид (SiO₂), затем слой нелегированного поли-Si на тыльной стороне пластины, формируя основную структуру пассивации TOPCon для сильной полевой и химической пассивации и низкой рекомбинации на тыльной стороне. Основное оборудование: трубчатая LPCVD. Источники газа: SiH₄, O₂, N₂ (носитель / продувка). Ключевые параметры: - Толщина поли-Si: измеритель толщины поли, эллипсометр - Толщина туннельного оксида: ECV, эллипсометр - iVoc (WCT-120) - Равномерность PL - Удельное поверхностное сопротивление (контроль нелегированного поли до легирования) Контроль качества: оксид сверхтонкий и однородный, поли-Si плотный и без проколов, хорошая однородность толщины по пластине. ### 3.3 Осаждение маски заднего SiN Назначение: осадить плотный слой нитрида кремния (SiNₓ) на нелегированный поли-Si в качестве блокирующей маски для последующих этапов лазерного открытия и легирования, обеспечивая селективные зоны легирования. Основное оборудование: PECVD. Источники газа: SiH₄, NH₃, N₂. Ключевые параметры: толщина SiN (спектроскопический эллипсометр), показатель преломления и однородность, iVoc, однородность PL. Контроль качества: плотная маска, без проколов, однородная толщина для гарантии изоляции легирования. ### 3.4 Первое заднее лазерное открытие (окно диффузии бора) Назначение: селективное удаление маски SiN над областью диффузии бора локальной лазерной абляцией с сохранением нижележащего нелегированного поли-Si, открывая окно для последующего p-типа поли. Основное оборудование: волоконная / наносекундная или пикосекундная лазерная система открытия, высокоточный лазерный паттернирующий инструмент. Настройка процесса: регулировка мощности лазера, частоты повторения, скорости сканирования и перекрытия пятен так, чтобы удалялась только верхняя маска SiN, а нижележащий нелегированный поли-Si не повреждался, сохраняя пассивирующую основу неповрежденной. Ключевая характеризация: оптическая микроскопия для проверки формы канавки, целостности краев и отсутствия выгорания поли-слоя. ### 3.5 Заднее легирование бором (p-поли) Назначение: диффузия бора в нелегированный поли-Si в открытой области для превращения его в сильно легированный поли p-типа (p-поли) с образованием BSG на поверхности. BSG впоследствии служит естественной блокирующей маской для диффузии фосфора. Основное оборудование: трубчатая печь диффузии бора. Технологические среды: жидкий источник BBr₃; атмосфера O₂, N₂. Ключевая характеризация: поверхностное сопротивление p-зоны, однородность легирования, целостность покрытия BSG, однородность легирования по PL. Контроль качества: достаточное легирование бором, однородное поверхностное сопротивление, непрерывный и полный BSG без локальных пропусков. ### 3.6 Второе заднее лазерное открытие (окно диффузии фосфора) Назначение: удаление оставшейся маски SiN для обнажения нелегированного поли-Si как зоны легирования фосфором n-типа, сохраняя уже сформированный слой BSG от повреждения лазером. Основное оборудование: лазерная система паттернирования / открытия. Фокус процесса: точный контроль энергии лазера для предотвращения прожигания слоя BSG, обеспечивая чистую изоляционную границу между P и N зонами. ### 3.7 Тыльное легирование фосфором (n-poly) Цель: диффузия фосфора во второе окно с собственным поли-Si для формирования сильнолегированного поли-Si n-типа (n-poly). BSG, сформированный на предыдущем этапе, работает как самосовмещенная маска, блокируя диффузию фосфора в область p-poly и обеспечивая самозоляцию P/N зон. Основное оборудование: трубчатая печь диффузии фосфора. Технологические среды: жидкий источник POCl₃; атмосфера O₂, N₂. Ключевой принцип: остаточный BSG действует как естественный диффузионный барьер и предотвращает загрязнение области p-poly фосфором. После диффузии фосфора BSG частично превращается в смешанный оксид бора и фосфора, что дополнительно усиливает изоляцию. Ключевые характеристики: листовое сопротивление n-зоны, изоляция P/N границы, мониторинг тенденции утечек. ### 3.8 Очистка для удаления оберточной диффузии (удаление BSG/PSG) Цель: химическое удаление всех BSG, PSG и поверхностных остатков, а также удаление краевых оберточных и боковых легирующих слоев для предотвращения краевых утечек. Основное оборудование: линия мокрой очистки. Ключевые химикаты: в основном HF, плюс кислотные добавки и буферная кислотная система. Технологические средства: обдув чистым сухим воздухом, горячая сушка воздухом. Контроль качества: оксидное стекло полностью удалено, чистая поверхность без остатков, отсутствие оберточных остатков на краях. ### 3.9 Нанесение тыльного пассивирующего защитного слоя SiN Цель: нанесение пассивирующего защитного слоя SiN на тыльную междигитальную P/N поли структуру для пассивации и защиты области тыльного контакта, а также для блокировки химического воздействия на последующих этапах. Основное оборудование: PECVD. Источники газа: SiH₄, NH₃, N₂. Характеристики: толщина SiN, показатель преломления, однородность пленки. ### 3.10 Нанесение тыльного воскового защитного покрытия (защитная маска) Цель: полное покрытие тыльной стороны защитным слоем воска методом трафаретной печати для защиты сформированной P/N тыльной контактной структуры и пленки SiN, предотвращая повреждение тыльных функциональных слоев при последующем травлении фронтальной стороны. Основное оборудование: трафаретный принтер (станция печати воска). Контрольный фокус: полная печать воска, отсутствие пропусков печати, отсутствие проколов, хорошая герметизация краев, чтобы тыльная сторона оставалась защищенной на протяжении всего процесса. ### 3.11 Фронтальное химическое травление + удаление восковой маски и очистка Назначение: 1. Удаление избыточного легирования и поврежденных слоев на фронтальной стороне пластины 2. Текстурирование фронтальной стороны для формирования пирамидальной поверхности и снижения фронтального отражения 3. Достижение изоляции краев между задними P и N зонами за счет бокового травления для снижения утечек по краям 4. Окончательное удаление задней восковой маски для полного раскрытия структуры задних контактов Основное оборудование: двусторонняя линейная установка влажного травления и текстурирования. Ключевые химикаты: сильная щелочь (NaOH), HF, добавка для текстурирования, буферный травитель. Газовые источники: чистый сжатый воздух, обдув N₂. Контроль качества: равномерное фронтальное текстурирование, качественная морфология пирамид, правильная изоляция P/N, отсутствие путей утечки, чистое удаление воска без остатков. ### 3.12 Фронтальная и тыльная SiN антиотражающая пассивирующая пленка Назначение: нанесение SiN антиотражающей пассивирующей пленки на фронтальную сторону для антиотражения и пассивации поверхности; добавление и оптимизация тыльной пассивирующей пленки для дальнейшего улучшения пассивации и надежности. Основное оборудование: PECVD. Источники газа: SiH₄, NH₃, N₂. Характеристика: толщина фронтальной и тыльной пленок, показатель преломления, время жизни неосновных носителей, коэффициент отражения. ### 3.13 Тыльная трафаретная печать электродов и вжигание Назначение: печать серебряно-алюминиевых электродов на тыльной P зоне и серебряных электродов на n-типа поликремниевой зоне для формирования межпальцевых задних контактов положительного и отрицательного электродов, затем высокотемпературное вжигание для формирования омического контакта между металлом и легированным поли-Si. Основное оборудование: специализированный принтер для задних контактов, линейная печь вжигания. Ключевые этапы: выравнивание и печать рисунка тыльных электродов → сушка → высокотемпературное вжигание (формирование омического контакта). ### 3.14 Финальный контроль и сортировка Содержание процесса: EL-контроль (дефекты, микротрещины, утечки), IV электрические испытания (Voc, Isc, FF, Eff), визуальный контроль, классификация и сортировка, упаковка и складирование. Контрольное оборудование: EL-тестер, IV-тестер, станция визуального контроля. ## Ключевые сложности и на что обратить внимание Какие сложные аспекты технологии TBC и на что следует обратить внимание? - Контроль равномерности толщины сверхтонкого туннельного оксида сложен - Два этапа лазерного вскрытия требуют чрезвычайно высокой точности совмещения - Сохранение целостности самосовмещенной маски BSG является основой процесса - Травление изоляции при чередующейся P/N структуре склонно к краевой утечке - Печать контактов на тыльной стороне требует более высокой точности совмещения, чем у обычных элементов - Управление снижением времени жизни неосновных носителей на протяжении всего процесса затруднительно ### Ключевые параметры SPC для контроля - Толщина туннельного оксида и толщина поликремния - Морфология лазерного вскрытия и отклонение совмещения для обоих этапов - Равномерность листового сопротивления диффузии бора и фосфора - iVoc и время жизни неосновных носителей, измеряемые по PL, отслеживаются на протяжении всего процесса - Фронтальное отражение и морфология текстурирования - Микротрещины по данным EL, утечки и состояние краевой изоляции ## Мнение Ooitech Успех TBC зависит от деталей, и самосовмещенная маска BSG здесь — тихий герой, поскольку она позволяет зонам фосфора и бора самоорганизоваться без дополнительного этапа маскирования. На линиях модулей мы больше всего следим за тем, как эти тыльноконтактные элементы с высоким Voc ведут себя на последующих этапах стрингования и ламинации, потому что их металлизация полностью на тыльной стороне меняет правила соединения. Если хотите увидеть реальные линии N-типа модулей в работе, наш канал YouTube [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) содержит видео с заводов, которые стоит посмотреть. --- ##### Теги: ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Запросить предложение Все загрузки безопасны и конфиденциальны. ## Мы предоставляем экспертизу, которой можно доверять наш сервис Оборудование напрямую с завода. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Экономически эффективные преимущества Мы предоставляем исключительную ценность, максимизируя результаты и оптимизируя бюджеты для клиентов. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Наша опытная команда Наши квалифицированные специалисты специализируются на инновационных решениях и индивидуальных стратегиях. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### Более 15 лет опыта в отрасли Глубокий опыт гарантирует надежные, актуальные и проверенные результаты для успеха. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Что наши клиенты говорят о нас Отзывы клиентов хвалят наше глубокое понимание их задач, что приводит к инновационным решениям и высокой рентабельности инвестиций. Долгосрочное сотрудничество — некоторые более десяти лет — демонстрирует их доверие и удовлетворенность. Их истории успеха побуждают нас постоянно превосходить ожидания. [Узнать больше **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Спасибо Ooitech за предоставление высокоподходящего экспериментального оборудования для BC солнечных элементов. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Спасибо Ooitech за предоставление полностью автоматизированного производственного оборудования — ваша установка и послепродажное обслуживание были отличными. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Амджад ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Ещё раз большое спасибо за огромную помощь в улучшении и исправлении фабрики, а также за обучение рабочих использованию машин ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Марк BIPV Филиппины ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Человек с большой душой. Большое спасибо за ваш визит, господин Ву. Большое спасибо за услуги по установке оборудования и обучению моих студентов. Самый добрый человек и профессионал в своей области ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Джизакский политехнический институт ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) благодарим за профессиональную поддержку ooitech и своевременное послепродажное обслуживание. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Диарра из Африки ## Наша новейшая продукция ![Машина для укладки солнечных элементов WS-CL80D: цикл 48 с, ±0,1 мм](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12336](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### Машина для укладки солнечных элементов WS-CL80D: цикл 48 с, ±0,1 мм Ooitech WS-CL80D — автоматический станок для укладки солнечных элементов с независимой работой двух порталов и двух захватов, главная ось с линейным двигателем и точностью 0,01 мм ![Однослойный двухкамерный автоматический ламинатор BIPV](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63274](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### Однослойный двухкамерный автоматический ламинатор BIPV Ooitech OTCY-2754DD Однокамерный автоматический ламинатор BIPV с двойной камерой оснащён двумя зонами ламинации 2700x5400 мм, верхним и нижним двойным нагревом ![Герметик и лента для солнечных панелей — силикон, бутил, шина](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032711586064.jpg.webp) - [** Rachael](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) - [** 73088](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) ### Герметик и лента для солнечных панелей — силикон, бутил, шина Герметик и лента для солнечных панелей для сборки модулей: силиконовый герметик для рам, бутиловая лента и изоляционная лента для шин, устойчивые к УФ-излучению для 25-летней наружной эксплуатации. ![Сварочный аппарат для соединительной коробки KS-01C: цикл 16 с](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92407](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### Сварочный аппарат для соединительной коробки KS-01C: цикл 16 с Сварочный станок для распределительных коробок Ooitech KS-01C оснащен автоматической пайкой горячим стержнем и высокочастотной сваркой с точностью позиционирования CCD ±0.1 мм. ![OPT-S110H Автономный струнный EL-тестер: ≤2с, 4,6МП](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350940561245.webp) - [** Rachael](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) - [** 88272](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) ### OPT-S110H Автономный струнный EL-тестер: ≤2с, 4,6МП OPT-S110H автономный струнный EL-тестер от Ooitech обеспечивает высокоскоростную электролюминесцентную инспекцию солнечных цепочек до 1250 мм. ![Машина для бесконтактной лазерной резки солнечных элементов](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp) - [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) - [** 47287](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) ### Машина для бесконтактной лазерной резки солнечных элементов Профессиональная машина для бесконтактной лазерной резки солнечных элементов GYM-HP8000 с технологией TCS, обеспечивающая производительность 7600 шт/ч и долю брака 0,03%